Существующий уровень развития приборов и комплексов в области тепловидения, теплоперелнгации, лазерной локации, связи и фотовольтаики на территории РФ обусловлен наличием импортными технологическими и материальными базами. Поскольку практическое значение в данных областях имеет диапазон длин волн от 0.2 до 30 мкм, то возникает необходимость в использовании материалов с шириной запрещенной зоны от нескольких электронвольт до десятых долей электронвольта. На сегодняшний момент изготовление многосоставных приемников излучения (состоящие из 2-х или 3-х химических составляющих) является весьма трудоемким и затратным процессом, поскольку их изготовление основывается на импортной материально-технической базе. При этом на каждый спектральный диапазон оптического излучения требуется полупроводник с соответствующей чувствительностью в виду ограниченности сочетания используемых материалов, что накладывает дополнительные ограничения на область применения. Все эти факторы не позволяют развить вышеописанные области науки и техники. Но учитывая существующий уровень развития производственной инфраструктуры кремниевых технологий в РФ, дальнейшее улучшение электрических и оптических свойств кремния (Si) очень привлекательно с точки зрения потенциала расширения областей его применения. Поэтому развитие технологии по улучшению свойств кремния на основе сверхлегирования, а также разработка приемников излучения на их основе является весьма важной задачей для разработки приборов и комплексов нового поколения, в том числе и солнечные элементы.

На страницу проекта