Цели и задачи проекта: 

• Создание макета экспериментальной установки. 
• Проведение экспериментальных исследований 

Ожидаемые результаты: 

Контроль качества полупроводниковых структур и приборов, понимание физики процессов, происходящих в них. 

Области применения результатов: 

научно-техническая область. 

Потенциальные потребительские сегменты: 

• В промышленности, в качестве экспресс-теста полупроводниковых структур и проборов; 
• в научно-технических центрах для проведения исследований; 
• а также в учебных заведениях в качестве лабораторных установок.

Метод РСГУ (релаксационная спектроскопия глубоких уровней) позволяет определять глубокие уровни полупроводниковых структур на любом этапе производственного цикла. Исследования глубоких уровней позволяет понять физику процессов, происходящих в них, и для уменьшения дефектообразования выбрать режимы технологического процесса. Обычно метод реализуется на базе университетской лаборатории в виде стенда, состоящего из множества отдельных компонентов. Особенностью разрабатываемой установки является анализ полупроводниковых материалов и приборов на предмет наличия глубоких уровней без использования криогенных установок. В данном комплексе применяется эффект Пельтье, что позволяет снизить стоимость оборудования и проводить исследования при комнатных температурах, а также уменьшить габариты устройства. Технологическое решение, применяемое в разрабатываемой установке, позволяет использовать ее не только в промышленной сфере, но также для лабораторного и учебного анализа полупроводниковых структур.

На страницу проекта