В настоящее время в отечественной микроэлектронике широко используются транзисторы с широкой запрещенной зоной (на основе GaN и GaAs технологий) как в силовой, так и в СВЧ технике. Кроме того, завершаются работы по освоению данных технологий на территории РФ. Устройства на основе данных технологий требуют определенную последовательность включения и обеспечения импульсного режима работы. В связи с этим актуальной задачей является разработка схем обеспечения питания и мониторинга параметров устройств на основе данных технологий. Данный проект направлен на разработку, освоение производства, запуск изделий в серийное производство и продажи двух типов микросхем: микросхема питания GaN/GaAs усилителей с функциями защиты и мониторинга и микросхема быстродействующего драйвера управления нормально закрытыми GaN транзисторами. Данные микросхемы будут иметь широкий диапазон рабочих входных напряжений (от 4.5 до 80В) и токов (до 5 А), что позволяет их использовать в составе устройств, использующихся в телекоммуникационном оборудовании, включая базовые станции 4G и 5G, фазированных антенных решетках (АФАР), лидарах (LIDAR) для беспилотных автомобилей, силовые модули вторичных источников питания.

Производитель: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЦЕНТР ИННОВАЦИОННЫХ РАЗРАБОТОК ВАО"

Другое