Топология интегральной микросхемы (ИМС) предназначена для изготовления сдвоенного микромощного операционного усилителя (ОУ), используемого в схемах преобразования аналоговых сигналов в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения. Сдвоенный микромощный ОУ предназначен для выполнения операций по преобразованию аналоговых сигналов в устройствах непрерывного и импульсного действия. Для изготовления ИМС применяется кремниевая биполярная эпитаксиальная технология с проектными нормами 2 мкм, изоляция элементов ИМС обеспечивается pn-переходом. ИМС помещается в малогабаритный металлополимерный корпус SO-8. Основные технические параметры и характеристики: однополярное напряжение питания 3…32 В; двухполярное напряжение питания ±1,5…±16 В; входное напряжение смещения –7,0…+7,0 мВ; ток потребления ? 2,0 мА; диапазон рабочих температур –45… +100 °C.