Область техники изобретения:
Изобретение относится к полупроводниковой технике.

Суть изобретения:
Наиболее известная (существующая) технология изготовления полированных пластин сапфира диаметром 150мм, включающая три основных этапа изготовления пластин – разрезание буль на пластины, шлифование и полирование – предполагает величину съема поверхностных слоев на этапе полирования в два раза ниже, чем на этапе шлифования. Этого достаточно удаления нарушенных слоев с предыдущих этапов обработки и позволяет достигать требуемых параметров пластин.
Суть изобретения в том, что меняется соотношение величины припусков на этапах шлифования и полирования пластин. Величина съема на этапе полирования выше в 1,5 раза, чем на этапе шлифования. Перераспределение припусков позволяет улучшить геометрические параметры коробление и прогиб пластин после полировки. Увеличенная толщина пластин перед этапом полирования позволяет сохранить минимальное значение геометрических параметров после полирования в конечную толщину (утонения пластин), что увеличивает окончательный процент выхода годных более чем на 5% и позволяет создать передовой продукт.

Результат:
Улучшение геометрических параметров коробление и прогиб полированных пластин диаметром 150 мм с нотч меткой
Увеличение ПВГ.
Создание передового продукта.