Изобретение относится к исследованию материалов с помощью отраженного излучения и предназнкачено для контроля качества слоев многослойного ленточного сверхпроводника. Исследуемые поверерхности облучают световым потоком и регистрируют параметры отраженного светового потока, по которым определяют показатели преломления слоев.