Изобретение относится к способам гомоэпитаксиального роста монокристаллов алмаза из метан-водородной газовой фазы в СВЧ плазменном реакторе одновременно на группе подложек для получения совершенных CVD монокристаллических слоев, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ техники и детекторов ионизирующего излучения. Гомоэпитаксиальный рост монокристаллов алмаза осуществляется одновременно на группе подложек, изготовленных из пластин природного или синтетического алмаза, с ориентацией большой грани {100} лежащих на охлаждаемом подложкодержателе и окруженных плазмообразующим кольцом высотой Н и диаметром D, пропорциональным длине волны ? на частоте 2,45 ГГц, осесимметричным резонатору реактора, с помощью которого, СВЧ энергия в виде стоячей волны генерирует плазменное образование, имеющее форму полусферы, расположенное над внутренней областью кольца и обеспечивающее равномерную теплопередачу подложкам внутри нее излучением плазмы.