Разработка нейроморфной мемристивной структуры тактильной памяти для робототехнических систем на основе искусственного интеллекта.
Целью проекта является изготовление технологии тактильной памяти и ее использование на макете в виде роботизированных систем. Технология тактильной памяти будет основываться на уже полученной ReRAM-памяти (ReRAM-память - это тип энергонезависимой памяти с произвольным доступом, которая работает за счёт изменения сопротивления диэлектрического полупроводникового материала, часто называемого мемристором) на основе мемристорных структур (Мемристоры — это новые электронные компоненты, которые могут хранить и обрабатывать информацию одновременно. Они так называются от английских слов «memory» (память) и «resistor» (сопротивление)).

Продукт: Аппаратное устройство, предназначенное для использования в виде накопителя информации, а также интеграции в роботизированные системы.

Проблема: В настоящее время производство накопителей информации сталкивается со следующими проблемами: • Малая плотность элементов • Высокое потребляемая энергия элемента • Долгое время записи и чтения элемента • Низкая воспроизводимость работы элементов • Сложная конструкция элементов • Неспособность воспроизведения продукта в любой точке России, т.к. все накопители информации производятся за пределами государства.

Потенциальные потребительские сегменты:  1. Различные предприятия электронной промышленности, занимающиеся производством устройств хранения и обработки информации, научно-исследовательские институты, гос. университеты и IT-компании заинтересованные в улучшении производительности используемых электронно-вычислительных машин, производители программного и аппаратного обеспечения 2. Потенциальные потребители продукции: 3. Потребители на отечественном рынке: завод Микрон, научно-технические центры ИЦ «Сколково» 4. Мировые интернет компании (Yandex, Google, Amazon и др.), производители аппаратного и программного обеспечения (Samsung, SK Hynix, Micron и т.д.). Таким образом, можно сказать, что поект направлен на рынок B2B и B2G.

Технология: Технология производства мемристоров: • Нанопечатная литография. На подложку наносят поперечные проводящие дорожки, на которые затем наносят слой диоксида титана (TiO2) толщиной 15 нм. Поверх него наносят продольные проводящие дорожки. В местах пересечения дорожек получают выраженный мемристивный эффект снижения сопротивления. • Атомно-слоевое осаждение (АСО). 23 Метод основан на последовательных химических реакциях между паром и подложкой в низком вакууме. АСО позволяет контролировать состав плёнки с точностью до одного атомного слоя. 2 • Импульсное лазерное осаждение. Процесс требует стадии отжига при высокой температуре и формирующего напряжения. Кросс-бар структур на основе мемристоров Кросс-бар-структура — это набор перпендикулярно расположенных друг к другу наноразмерных проводников, между которыми находится слой оксида титана, способный менять свою проводимость под действием приложенного напряжения. Кросбар-устройства обладают рядом преимуществ, в том числе простотой изготовления. Их регулярная структура из пересекающихся нанопроволок делает процесс производства более доступный по сравнению с современными КНОП-технологиями. Существуют различные материалы и технологии, которые могут использоваться для создания кроссбаров. Благодаря разнообразию материалов и технологий кроссбар-архитектура демонстрирует высокую гибкость и адаптируемость к новым материалам. Более того, эта единая архитектура позволяет создавать как память, так и логику, а также интегрировать межсоединения на основе одних и тех же элементов

Бизнес-модель:  - Прямые продажи: Продажа продуктов конечным пользователям через официальный сайт, дистрибьюторов и партнеров. - Лицензирование технологий: Предоставление лицензий на технологию тактильной памяти другим производителям и разработчикам. - Подписка или как сервис: Предложение модулей тактильной памяти как часть подписки, включая регулярные обновления и техническую поддержку.

На страницу проекта