Общая характеристика: Метод РСГУ (релаксационная спектроскопия глубоких уровней) позволяет определять глубокие уровни полупроводниковых структур на любом этапе производственного цикла. Исследования глубоких уровней позволяет понять физику процессов, происходящих в них, и для уменьшения дефектообразования выбрать режимы технологического процесса. Метод реализуется на базе университетской лаборатории в виде стенда, состоящего из множества отдельных компонентов. Особенностью разрабатываемого стенда является анализ полупроводниковых материалов на наличие глубоких уровней с использованием РСГУ и времяпролётной установки. Времяпролетный метод позволяет определять пространственное распределение объемного заряда и напряженности электрического поля в барьерных структурах на их основе.

Проблема: Наша услуга позволит представителям промышленности получать электрофизические характеристики о материалах, структурах и устройствах, которые они будут предоставлять для поиска дефектов или новых свойств.

Цели и задачи проекта:

• Создание исследовательской лаборатории.
• Проведение экспериментальных исследований.

Описание решения: Для представителей промышленности это решит проблему покупки дорогостоящего оборудования на предприятие. Для научных исследователей можно предложить сотрудничество по анализу и обсуждению результатов. Для учебных заведений возможно прохождение стажировок и реальной практики обучающихся.

Потенциальные потребительские сегменты:

• Представители промышленности; 
• Научные исследователи; 
• Учебные заведения.

На страницу проекта