Исследования в области влияния дефектов на характеристики приборов являются крайне актуальными, поскольку даже минимальное количество дефектов может сильно влиять на электропроводность материала. Однако на практике данные исследования проводить не так просто. Возникают проблемы с ростом кристаллов должного качества, отсутствием знаний о дефектах в этих материалах.

Наша DLTS-установка помогает определять наличие и степень влияния дефектов на полупроводники методом спектроскопии глубоких уровней переходов. Основными преимуществами над другими подобными проектами являются возможность проведения опыта при разных частотах и наличие программного обеспечения, которое поможет более точно управлять установкой, сохранять данные в облаке, не используя для этого сторонние программы.

Целевой аудиторией являются работники научно-исследовательских лабораторий при ВУЗах и компаниях, занимающихся разработкой полупроводниковых устройств.

На страницу проекта