Разработка широкоапертурного источника низкоэнергетичных ионов для технологии прецизионного контролируемого атомно-слоевого осаждения материалов микро- и наноэлектроники
Проект направлен на создание прототипа и исследование плазменного источника низкоэнергетичных ионов с энергией 0.7-1 эВ в виде над поверхностью подложки для создания трехмерных наноструктур, разделенных друг от друга на расстояние в несколько атомарных слоев (менее 8 нм). Актуальность исследования связана с развитием ключевых технологий наноэлектроники для создания полупроводниковых структур с их масштабированием в третьем измерении, что позволит снизить габариты устройств наноэлектроники и повысить их функциональные характеристики. Предлагаемые в данном проекте исследования являются новыми и не имеют аналогов в России. Реализация проекта позволит разработать уникальную технологию атомно-слоевого травления функциональных материалов 3D структурной наноэлектроники.
Производитель: ООО "КИНЕТИК-ПЛАЗМА"
Ссылка
Направление
Другое
