Кремниевые фотоумножители (Silicon Photomultiplier - SiPM) были разработаны в 1990-2000-е годы в России (ИЯИ, ФИАН, МИФИ) на основе исследований лавинных процессов, проведенных ранее в ФИАН. SiPM получили мировое признание за высокое разрешение числа фотонов в световом импульсе и времени его прихода, и стали широко применяться в физике высоких энергий и ядерной медицине. Их стали выпускать зарубежные производители фотосенсоров, воспроизводя конструкцию МИФИ - матрицу лавинных ячеек с планарным p-n переходом. В России SiPM не выпускаются. Сейчас разработки SiPM упираются в физические пределы планарной конструкции, особенно для ИК диапазона. Проект направлен на разработку нового типа SiPM непланарной конструкции с более высокими квантовой эффективностью и быстродействием. Она основана на усилении и фокусировке электрического поля на сферическом p-n переходе с малым радиусом кривизны, что приводит к эффективному собиранию и умножению фотоэлектронов, малой емкости ячейки и отсутствию потерь на границах ячеек.Планируется патентование новой конструкции и фотосенсоров на ее основе. Разработка технологии будет осуществляться на базе ЦКП «МСТ и ЭКБ» МИЭТ.

Производитель: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ФОТОСЕНСОРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ"

Другое