Традиционным методом анализа монокристаллов являются рентгеноструктурный анализ параметров кристаллического совершенства и исследования наличия дефектов по средствам оптической микроскопии с применением разного роля идентифицирующих их растворов (травителей). Данные методики не позволяют сделать полный вывод о кристаллическом совершенстве образцов – а именно: оценить степень структурной неоднородности, произвести емкую оценку механико-прочностных характеристик полупроводниковых пластин и области ориентации отдельных крупных зерен, одним из возможных решений данной проблемы является анализ геометрии кривых качания. Применение данной технологии ограничено отсутствием оборудования и временем, которое занимает одно исследование. В реалиях современного производства необходимо производить оперативные измерения, что позволяет своевременно вносить необходимые коррективы в рабочий процесс. Разработка подхода, на которую направлен наш проект, позволяет обеспечить достаточно низкую энергоемкость измерения, что несвойственно для традиционной высокоразрешающей рентгеновской топографии, сохранив необходимый для предприятий уровень информативности, что позволит повысить качество выпускаемой ими продукции и ускорить процесс выходного контроля монокристаллов.

#инвестиционно_привлекательный

На страницу проекта