Тестовый кристалл предназначен для отработки технологических решений и аттестации конструкций кристаллов полупроводниковых приборов и микросхем на основе эпитаксиальных кремниевых структур с введенной примесью для повышения быстродействия (золото, платина, электроны, протоны и т.п.).
Тестовый кристалл состоит из 6 групп тестовых ячеек. Группы имеют сквозную нумерацию от 1 до 6 и идентифицированы на всех слоях. Данный кристалл позволяет определить с помощью групп 1 и 2 поверхностные сопротивления слоев, сопротивление резисторов, с помощью групп 3 и 5 коэффициент усиления (h21Э) латерального p-n-p транзистора который связан с концентрацией примеси повышающий быстродействие на поверхности кристалла, а помощью групп 4 и 6 коэффициент усиления (h21Э) двух эмиттерного вертикального n-p-p транзистора который связан с концентрацией примеси повышающий быстродействие в объеме кристалла токи утечки по ГОСТ 20398. Результаты замеров тестового кристалла позволяют анализировать технологический процесс и проводить оценку степени легирования примесью для повышения быстродействия. Группы 5 и 6 тестовых ячеек окружены замкнутыми областями подлегирования по которым оценивается их влияние на примеси для повышения быстродействия.
Кристалл изготовлен по биполярной технологии с проектными нормами 2 мкм.