Экспертные заключения: 0
Консультации: 0

Топология тестового кристалла для биполярной эпитаксиальной технологии с напряжением изоляции элементов 40 В

Тестовый кристалл предназначен для отработки технологических решений и процессов, биполярной технологии на эпитаксиальных структурах с проектными нормами от 1,5 мкм. Тестовый кристалл состоит из более 100 тестовых ячеек и включает фигуры Ван дер Пау для контроля удельного сопротивления, тесты на сопротивление одиночных контактов, тесты для контроля качества травления цепочки омических контактов, тесты на закоротки и обрывы металлизации и поликремния, структуры для косого шлифа, тестовые конденсаторы, тесты изоляции между карманами, тесты на зазоры, биполярные транзисторы позволяющие определять коэффициент усиления (h 21Э ) и токи утечки по ГОСТ 18604. Результаты замеров тестового кристалла позволят оптимизировать конструкцию элементов операционных усилителей и дифференциальных компараторов напряжения, а также анализировать технологический процесс и проводить оценку надёжности.

Ссылка

На страницу проекта