Задачей настоящего изобретения является обеспечение отечественных полупроводниковых производств производительным и прецизионным технологическим оборудованием с расширенными функциональными возможностями и предназначенного для выполнения технологических операций при изготовлении современных полупроводниковых приборов уровня 0,65-0,45 нм с использованием подложек диамером более 100 мм.