Изобретение относится к области выращивания кристаллов из парогазовой фазы. Выращивание кристаллов фуллерена С60 проводят в ампуле, на внутреннюю поверхность которой предварительно наносят слой пироуглерода, препятствующий проникновению ультрафиолетового излучения во внутренний объём ампулы, что предотвращает полимеризацию поверхностных слоёв кристаллов фуллерена С60, причем весь многостадийный процесс выращивания проводят без вскрытия ампулы и перезагрузки кристаллов, что увеличивает выход годных кристаллов.