В настоящее время наблюдается значительный интерес к созданию новых энергонезависимых технологий памяти с улучшенными характеристиками — высокой скоростью работы, энергоэффективностью и надежностью. Особое внимание уделяется резистивной памяти, базирующейся на электрических переключениях в наноструктурированных композитных пленках. Многообещающим материалом для таких устройств являются гибридные структуры, объединяющие мультиферроики, например, BiFeO₃, и высокотемпературные сверхпроводники на основе YBa₂Cu₃O_7-δ (YBCO). Комбинация этих материалов позволяет реализовать уникальные электрические и магнитные эффекты, включая мемристивное переключение, повышая функциональность энергонезависимой памяти.

Цель проекта

Разработка и оптимизация технологии получения тонкопленочных слоистых структур BiFeO₃/YBa₂Cu₃O_7-δ на подложках SiO₂/Si с исследованием их структурных, электрических и магнитных свойств для применения в энергоэффективных мемристивных устройствах памяти.

На страницу проекта