Установка для проведения неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводниковых материалов с помощью СВЧ-резонаторного метода
Установка для неразрушающего измерения удельного сопротивления эпитаксиальных(полупроводниковых) пленок с помощью генератора СВЧ и резонатора. Определение электрофизических показателей пленок происходит посредством внесения в создаваемое резонатором поле исследуемого образца и измерения изменений показателей резонатора.
Ключевым преимуществом данной установки является ее бесконтактный и неразрушающий характер измерений, что критически важно при работе с дорогими и хрупкими тонкими пленками. В отличие от традиционных контактных методов, наше решение позволяет проводить контроль в процессе производства без риска повреждения образца, что значительно снижает брак и повышает выход годной продукции. Для обеспечения высокой точности и достоверности результатов, установка использует предварительно построенные калибровочные кривые, полученные на аттестованных образцах с известным удельным сопротивлением. На основе измеренных изменений резонансной частоты и добротности резонатора, специализированное ПО преобразует эти данные в электрофизические параметры.
