Основной целью проекта является разработка высокотехнологичного вида энергонезависимой памяти, основанной на полупроводниковой RRAM – технологии. Её можно применять как для создания запоминающих устройств, так и для формирования искусственных нейронных сетей. На сегодняшней день нами были получены первые отдельные ячейки памяти на базе гетеропереходов InGaN/GaN. В рамках дальнейшей реализации проекта запланированы стабилизация характеристик отдельных ячеек и разработка матрицы на их основе.

Энергетика

Искусственный интеллект