1. Цели и задачи проекта

Основные цели:

- создание интерактивного программного средства для наглядных экспериментов в области полупроводников;

- упрощение анализа зависимости характеристик перехода от параметров (легирование, температура, напряжение, освещенность).

Задачи:

- разработка физической модели и численного решателя для расчёта распределения потенциала, уровней проводимости/валентности, Fermi‑уровней и плотностей носителей;

- реализация интерактивной визуализации (диаграммы зон, профиль потенциальной ямы, плотности носителей, ширины обеднённой зоны);

- добавление управления параметрами: тип и профиль легирования, материалы (Si, GaAs и др.), температура, внешнее смещение, подсветка;

- обеспечение экспорта результатов (графики, данные для дальнейшего анализа) и API для интеграции с другими инструментами;

2. Компоненты системы

Физико‑математический модуль:

- расчёт распределения электрического потенциала (решение уравнения Пуассона) с учётом зарядов доноров/акцепторов и носителей;

- вычисление уровней зон (валентная/проводимая), Fermi и квази‑Fermi уровней при равновесии и при внешнем смещении;

- модели рекомбинации/генерации и эффекты освещения (фотогенерация) для неравновесных режимов.

Визуализационный модуль:

- построение диаграмм зон с отображением изгиба зон и положений уровней;

- профиль потенциала, электрического поля, концентраций электронов/дырок, заряда;

- интерактивные графики IV/VC и зависимости параметров при изменении входных условий;

- 1D и опционально 2D срезы для неоднородных профилей легирования.

Пользовательский интерфейс:

- формы ввода параметров (материал, плотности легирования, профиль, температура, смещение);

- слайдеры для динамической смены параметров и моментального обновления визуализаций;

- предустановленные примеры (симметричный pn, сильно легированный p+, шоттки‑переход и др.);

- экспорт изображений и данных в стандартных форматах.

3. Преимущества системы

- наглядность: визуальное представление изгиба зон и распределения носителей.

- интерактивность: мгновенная обратная связь при изменении параметров помогает быстрой оценить варианты конструкций;

- гибкость: поддержка разных материалов, профилей легирования и режимов (температура, освещение, смещение);

- ускорение исследований: быстрый прототипный расчёт и возможность пакетных прогонов параметрических исследований;

- воспроизводимость: сохранение сценариев и экспорт данных для дальнейшего анализа.

4. Реализация проекта

Этапы реализации:

- сбор требований и формализация задач для инженерных и исследовательских сценариев;

- разработка и проверка физической модели на прикидочных/аналитических случаях;

- создание прототипа численного решателя и базовой визуализации (1D, равновесие);

5. Оценка эффективности

Методы оценки:

- сравнение результатов с аналитическими решениями и TCAD (точность и погрешности);

- скорость расчётов и отзывчивость интерфейса (время отклика при изменении параметров);

- метрики использования: количество сценариев, продолжительность сессий, экспортируемые результаты;

- экономический эффект: сокращение времени предварительных расчётов и прототипирования.

Заключение

Проект <<Цифровая платформа="" моделирования="" полупроводниковых="" структур="">> объединяет физическое моделирование и интерактивную визуализацию, обеспечивая мощный инструмент для проектирования и исследований. Реализация проекта позволит повысить понимание процессов в проектах с использованием полупроводников, упростить анализ влияния параметров конструкции и создать удобную платформу для прототипирования и конструкторских решений.

Цифроваяxtagendz

На страницу проекта