•Цель Лаборатории: обеспечение проведения научных исследований и образовательных мероприятий научными коллективами НовГУ и НТШ в области новых материалов, в том числе полупроводниковых микро- и наноструктур. 

•Основные задачи Лаборатории: обеспечение проведения научных исследований новых материалов, включая консультационное и материально-техническое обеспечение, а также документальное сопровождение результатов научных исследований на базе НовГУ и НТШ; проведение научных исследований, их интерпретация и соответствующее документальное сопровождение в области новых современных материалов, в том числе полупроводниковых гетероструктур, на базе НовГУ и НТШ; обеспечение проведения образовательных мероприятий в области новых материалов на базе НовГУ и НТШ; сотрудничество с научно-исследовательскими и образовательными учреждениями и предприятиями в области новых материалов. 

•Основные функции Лаборатории: Консультационная помощь в решении научных вопросов, а также сопровождение реализации научных проектов в области новых материалов. Публикация и организация публикаций в ведущих научных изданиях. Привлечение молодых ученых, студентов и аспирантов к научным исследованиям. Участие во российских и международных научных проектах. Разработка и реализация научно-исследовательских и опытно-конструкторских проектов. Привлечение научных коллективов и научных школ НовГУ и НТШ для решения научных проблем и задач, относящихся к тематике исследований Лаборатории. Популяризация науки и современных технологий среди школьников.

Направление работ. 

Научное направление – «полупроводниковые фотоприемники»

Научное направление – «разработка элементной базы электроники и радиофотоники»

Учебное направление – «современные методы исследования новых материалов»

Научный задел.

Проводятся исследования и разработка полупроводниковых приемников оптического излучения. Имеется научный задел для приборной реализации неохлаждаемых фотоприемников на основе полупроводниковых соединений InGaAsSb для ближней инфракрасной области спектра.

Проводятся исследования принципов создания дифференциальных фотоприемников с использованием кремниевой технологии.

Имеется научный задел в исследовании влияния различных технологических факторов на предельные характеристики микро- и наноэлектронных приборов при широком использовании плазмохимических методов обработки, ионных пучков, фотонного отжига.

Имеется опыт проведения десятков госбюджетных и хоздоговорных работ в интересах российских и зарубежных организаций, в том числе для оборонных предприятий.

Более 20 публикаций в ведущих российских и международных журналах за последние 5 лет.

Около 20 патентов РФ.

Планируемые результаты.

1 этап.

Разработка принципов создания датчика контроля дозы ультрафиолетового излучения. Изготовление макетных образцов фотоприемников.

Определение ключевых технологических операций формирования микро- и наноэлектронных структур:

силовые диоды и мощные транзисторы на нитриде галлия, СВЧ транзисторы и интегральные схемы.

Выбор критериев отбора исходного материала и разработка конструкции микро- и наноэлектронных приборов.

2 этап.

Разработка конструкции и создание макетного образца тестера качества искусственных источников света.

Разработка конструкции и создание макетного образца бытового датчика контроля дозы ультрафиолетового излучения. Разработка конструкции и создание макетного образца бытового датчика контроля дозы ультрафиолетового излучения.

Разработка методик анализа гетероэпитаксиальных структур на основе полупроводниковых соединений A3B5 с целью определения состава раствора, толщины слоев и концентрации носителей заряда.

3 этап.

Отработка технологии серийного производства тестера качества искусственных источников света. Отработка технологии серийного производства бытового датчика контроля дозы ультрафиолетового излучения.

Выработка требований к исходным гетероэпитаксиальным структурам для производства таких оптоэлектронных компонентов как фотодиоды ближнего ИК- диапазона и вертикально-излучающие лазеры 1.55 мкм.

Технология создания вертикально-излучающих лазеров на основе гетероструктур соединений А3В5; включающая разработку полосковых оптических волноводов с решеточными элементами ввода-вывода излучения; разработку интегрально-оптических модуляторов. Опытные образцы микроприборов. Макетные образцы силовых диодов и мощных транзисторов на нитриде галлия, СВЧ транзисторов и интегральных микросхем, вертикально излучающих лазеров.

На страницу проекта