Настоящий проект инициирован с целью реализации НИОКР по разработке инновационной технологииполучения гетероэпитаксиального нитрида галлия (GaN) на коммерчески доступных подложкахкубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si).Нитрид галлия - это широкозонный полупроводниковый материал, на базе которого возможно создание диодной или транзисторной полупроводниковой структуры с уникальными эксплуатационными параметрами.Основные сферы применения GaN – светодиодная электроника, силовая электроника диапазона до 1200 В и СВЧ-компоненты для систем связи поколения 5G, спутниковой связи и др.Конечный продукт проекта - гетероэпитаксиальная структура GaN/3С-SiC/Si.Целевой рыночный сегмент – предприятия-производители микроэлектроники.

Производитель: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ОНСИ"

Другое