Традиционно приборные эпитаксиальные гетероструктуры на основе нитридов III группы выращиваются на подложках из сапфира или карбида кремния, а в последнее время из-за высокой стоимости таких пластин переходят на кремниевую основу. Большое (~20%) рассогласование постоянных решеток и коэффициентов термического расширения нитридных полупроводников и подложечных материалов, а также из-за сложности процесса инициации роста на подложках плотности проникающих дислокаций в эпитаксиальных слоях не позволяют получать качественные мощные светодиоды. Разработанная технология предназначена для формирования на кремниевых подложках монокристаллических слоев карбида кремния с необходимыми толщинами, уровнями легирования и допустимыми механическими напряжениями для последующего получения на них гетероструктур нитридов III группы и их твердых растворов. В результате реализации проекта были проведены работы по получению и исследованию дефектности эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии, определены технологические параметры формирования качественных слоев карбида кремния на поверхности кремния. Реализован и опробован комплекс мероприятий направленных на разработку технологических основ формирования эпитаксиальных слоев карбида кремния на подложках кремния методом магнетронного распыления. Одним из преимуществ данного проекта является не появление нового материала, а интеграция с кремниевой технологией, таким образом, есть возможность наиболее ускоренного внедрения в промышленность предлагаемой продукции.

Производитель: ООО "СИКЛАБ"

На страницу проекта