Областью применения предлагаемой полезной модели является микроэлектроника, а именно – контроль качества при производстве полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния.
Результатом предлагаемой полезной модели является повышение и расширение возможностей оперативности контроля планарных элементов повышающих напряжение пробоя на основе слаболегированных JTE-колец.
Указанный технический результат достигается тем, что тестовая ячейка для контроля качества изготовления диодов Шоттки на карбиде кремния, состоящая из рабочего диода Шоттки, сформированного на эпитаксиальной структуре одного типа проводимости и содержащего охранную систему из колец другого типа проводимости, отличающаяся тем, что в ней дополнительно сформирован диод такой же по конструкции, как и рабочий, у которого по всей площади контакта Шоттки сформирован участок другого типа проводимости глубиной равной глубине внутреннего кольца.