Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к конструкции масок для планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния с использованием процессов ионного легирования алюминия.Техническим результатом данной полезной модели является исключения влияния маски на свойства легированного алюминием карбида кремния.Технический результат достигается тем, что в отличие от известной маски, предлагаемая маска для ионного легирования в пластины карбида кремния алюминием, состоящая из маскирующего слоя неорганического материала на поверхности карбида кремния и сформированных в этом слое участков для легирования алюминием, маскирующий слой выполнен из слоя алюминия на слое двуокиси кремния толщиной 0,03-0,08 мкм, примыкающего к карбиду кремния.