Проект направлен на создание коммерчески доступной технологии получения SiC/Si-подложек путем формирования функционального слоя карбида кремния на стандартных кремниевых пластинах методом высокотемпературной обработки в среде Ar–CH₄. Решение ориентировано на снижение зависимости от дорогостоящих массивных подложек SiC в тех применениях, где ключевые свойства карбида кремния требуются преимущественно в приповерхностной области. В рамках проекта планируется оптимизировать технологический процесс, подтвердить воспроизводимость характеристик слоя и оценить масштабирование на коммерческие пластины Si. Целевые рынки — силовая и микроэлектроника, сенсорика, функциональные покрытия и разработка гетероструктур. Потенциальные потребители — производители электронной компонентной базы, разработчики полупроводниковых приборов, научно-производственные предприятия и центры микроэлектроники.