Интегральная схема цифрового N-P-N биполярного транзистора предназначена для применяется в радиоаппаратуре общего и специального назначения. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии. Микросхема представляет собой маломощный N-P-N транзистор с двумя резисторами: ограничительным резистором в цепи базы и резистором, шунтирующим переход база –эмиттер. Интерфейс транзистора выполнен в виде двух контактных площадок в цепях базы и эмиттера. Работает микросхема следующим образом: при подаче на микросхему наименьшего цифрового сигнала 1, часть входного напряжения падает на резисторе в цепи базы, ток, шунтируемый резистором подключенным к переходу база –эмиттер, открывает транзистор, а при подаче на микросхему наибольшего цифрового сигнала 0, ток попадающий в базу транзистора не открывает транзистор. Резисторы выполнены из легированного поликремния. По периферии кристалла есть канальный ограничитель.