Областью применения предлагаемой полезной модели является микроэлектроника, а также может быть использована при изготовлении ряда электронных приборов, например, для формирования контакта Шоттки, металлизации из слабоподдающихся травлению материалов.
Результатом предлагаемой полезной модели является расширение возможности использования маски для нанесения рабочих слоев с помощью магнетронного распыления.
Указанный результат достигается тем, что в отличие от известной маски для взрывной фотолитографии состоящей из слоя резиста для взрывной литографии, фоторезиста с рисунком на обрабатываемой пластине, в предлагаемой маске для взрывной фотолитографии, между слоем резиста для взрывной литографии и фоторезиста вводится дополнительный слой алюминия, толщиной 0,2 <= d <= 0,3 мкм.