Интегральная микросхема полевого p-канального транзистора с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт предназначена для применения в составе источников питания, модулей телекоммуникационного оборудования и средств связи общего назначения. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на подложке p+типа с эпитаксиальным слоем p-типа.
Для увеличения ширины площади поверхности канала микросхема сформирована из массива параллельно соединенных гексагональных простейших полевых транзисторов (HEXFET структура), что позволяет коммутировать большие токи.
Для повышения надежности и уменьшения токов утечки по периметру сформировано и n+стоп-кольцо.