Силовые модули на основе карбида кремния
Цель проекта состоит в разработке технологии производства силовых модулей MOSFET SiC напряжением 10 000 Вольт, минимизирующих паразитные емкости переходных процессов.
Производитель: ООО "КАРБИДТЕХМОДУЛЬ"
Ссылка
Направление
Энергетика
