Предполагаемая полезная модель относится к конструкции кремниевых структур с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, а именно – для микросхем с напряжением питания более 100В.Техническим результатом предполагаемой полезной модели является повышение выхода годных за счет снижения влияния разброса толщины карманов на параметры высоковольтных микросхем.Указанный технический результат достигается тем, что известная кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, состоящая из подложки на основе кремния, изолированных диэлектриком от подложки кремниевых монокристаллических карманов со скрытым слоем, легированным мышьяком, и выходящим на рабочую поверхность структуры по боковым стенкам карманов, дополнительно содержит скрытый слой на дне карманов, легированный фосфором дозой в интервале (2,5 – 3,5) ? 1013 ионов/см2 и глубиной больше глубины залегания мышьяка на 4-6 мкм.