Предлагаемая полезная модель относится к конструкции кремниевых структур с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, а именно – для микросхем в малогабаритных корпусах с напряжением питания более 200В.
Техническим результатом предлагаемой полезной модели является повышение пробивного напряжения без увеличения прямого падения напряжения и толщины кристалла.
Указанный технический результат достигается тем, что кремниевая структура с диэлектрической изоляцией для высоковольтных микросхем, состоящая из подложки на основе кремния, изолированных диэлектриком от подложки кремниевых монокристаллических карманов с двумя скрытыми слоями, первым легированным мышьяком, и выходящим на рабочую поверхность структуры по боковым стенкам карманов, вторым на дне кармана легированный фосфором дозой в интервале (2,5-3,5) 10^13 ионов/см2 и глубиной больше глубины залегания мышьяка на 4-6 мкм и высоковольтным планарным переходом на рабочей стороне кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией, состоящим из плоской части по периферии которой расположены элементы повышающие напряжение пробоя планарного перехода, при этом второй скрытый слой сформирован только под плоской частью планарного перехода.