Программа предназначена для определения напряжения пробоя планарных сферических и/или цилиндрических полупроводниковых переходов в зависимости от типа полупроводника (кремний, карбид кремния), концентрации примеси в базе перехода, глубины диффузии эмиттера перехода или толщины окисла под полевым электродом эмиттера в зависимости от конфигурации охранной системы. Программа позволяет при помощи изменения переменных величин принимать решение по выбору оптимальной конструкции и топологии для получения требуемых значений напряжения пробоя планарных переходов.
Область применения: микроэлектроника, а именно, производство планарных кремниевых и карбидокремниевых полупроводниковых приборов, а также микросхем