Наш проект направлен на разработку элементной базы высокопроизводительного и энергоэффективного вычислительного устройства. В рамках работы предполагается использование новейших технологий, таких как 90 nm process и SOI (Silicon-On-Insulator), которые обеспечивают меньшие размеры транзисторов и их улучшенные характеристики. В ходе проекта будет проведено глубокое моделирование всех логических элементов на транзисторах на уровне отдельных компонентов и схем устройств для проверки их работы и выявления изъянов. В результате работы будут получены модели таких логических элементов, как полусумматор, мультиплексор, ячейка памяти SRAM и RS-триггер, их характеристики, а также топологии отдельных элементов в формате файлов, готовых для отправки на производство. 

На страницу проекта