Проект направлен на разработку технологической платформы для термического атомно-слоевого травления (АСТ), предназначенной для высокоточного удаления материала с поверхности на атомарном уровне. АСТ предусматривает чередование двух самоограничивающихся поверхностных реакций: сначала модификации поверхности реагентом, затем — теплового удаления образованных летучих соединений. Такой подход обеспечивает контролируемое, слой за слоем, изотропное удаление материала с высокой точностью и минимальным повреждением подложки.

В рамках платформы планируется реализовать систему подачи прекурсоров и окислителя, систему управления температурой и давлением, а также узлы обеспечения вакуумной и газовой изоляции, необходимые для корректного протекания циклических реакций АСТ. Конфигурация оборудования должна позволять проводить процесс травления на различных материалах, обеспечивать селективность, стабильность и воспроизводимость параметров, а также минимизировать дефекты поверхности.

Реализованная технологическая платформа обеспечит возможность создания наноструктур и микроструктур с атомарной разрешающей способностью, что делает её актуальной для задач микро- и наноэлектроники, сверхтонких функциональных покрытий, нанофабрикации 3D-структур и других передовых применений.

На страницу проекта