Проект направлен и разработку и внедрение нормально закрытого транзистора на основе GaN гетероструктур. Данный прибор обладает рядом приемуществ по сравнению с широко используемыми транзисторами на основе кремния. Такие транзисторы востребованы в сферах, где требуется эффективное управление высокими токами и напряжениями, а также в устройствах, где важна компактность и высокая скорость переключения. За технологическую часть проекта, связанную с изготовлением отвечает Неженцев А.В., в то время как Карцев С.И. отвечает за контроль качества и проведение измерений.

На страницу проекта