Проект направлен на разработку источника низкоэнергетичных (1–200 эВ) ионов аргона с прямоугольной апертурой для прецизионной обработки поверхностей в технологиях микроэлектроники и фотоники. Необходимость разработки обусловлена ростом требований к качеству поверхности подложек и тонкоплёночных структур: при энергиях ионов свыше 200–300 эВ возникают радиационные дефекты, распыление и перемешивание слоёв, недопустимые при создании приборов наноэлектроники и прецизионных оптических покрытий. Существующие источники с круглой апертурой не обеспечивают равномерной обработки крупноформатных подложек без сложных систем сканирования, а зарубежные аналоги малодоступны из-за санкционных ограничений, что делает актуальным создание отечественного решения. Цель проекта — создание отечественного ионного источника, обеспечивающего равномерную обработку подложек большой площади ленточным пучком ионов без радиационного повреждения приповерхностных слоёв. Задачи: расчёт и моделирование газоразрядной и ионно-оптической систем; разработка конструкторской документации; изготовление макетного образца; экспериментальное исследование параметров пучка (энергетический спектр, плотность ионного тока, равномерность по длине апертуры).