Мемристор для энергонезависимой резистивной памяти
Данный проект посвящён разработке конструкции мемристивного устройства на основе ZrO2(Y), которая обеспечивает наилучшую совместимость с технологическим процессом комплементарный "металл-оксид-полупроводник" для возможности производить в промышленном масштабе устройства на основе мемристоров для хранения и обработки информации, превосходящих современные аналоги в скорости, энергоэффективности и плотности хранения/обработки информации.
Ссылка
Направление
Другое
Рынки
TechNet, NeuroNet
Сквозные технологии
Искусственный интеллект, Нейротехнологии, технологии виртуальной и дополненной реальностей, Технологии беспроводной связи и «интернета вещей»
Вконтакте